Measurements

Field Effect Transistor (FET)는

기존 memory device에서 refresh 등으로 인한 leakage power 문제 해결을 위해, 그리고 Von Neumann architecture에서 발생하는 bottle neck 문제해결을 위한 접근법 중 neuromorphic application을 위해 memristor는 다양한 structure나 switching media를 가지고 연구되고 있습니다. Memristor의 특성을 파악하기 위해서는 여러 measurement 방법들이 동원되는데, 논문에서 소개되는 내용들을 간략하게 요약하고 각 측정이 보여주고자 하는 요소와 동일 측정을 어떻게 다른…